英伟达宣布与台积电合作开发下一代AI芯片制程工艺

6月26日，英伟达与台积电宣布达成战略合作，双方将共同开发下一代AI芯片制程工艺，瞄准1.6nm和1.4nm制程节点。

合作内容

制程工艺开发

• 1.6nm制程研发进展顺利
• 1.4nm制程规划中
• 预计2027年实现量产

技术创新

• 下一代晶体管架构
• 先进的封装技术
• 3D IC堆叠方案

产能规划

• 2027年月产能目标10万片
• 2028年产能翻倍
• 优先供应AI芯片

产业影响

推动行业发展

• 打破制程工艺瓶颈
• 提升芯片性能上限
• 降低AI芯片成本

竞争格局

• 保持技术领先优势
• 应对三星和Intel竞争
• 巩固代工合作关系

投资计划

双方将共同投资超过500亿美元用于新制程研发和产能建设。

来源：英伟达官方、台积电、经济日报