三星与阿斯麦扩产合作：2028年前首次将高NA EUV用于DRAM量产，并牵头发力12英寸光罩技术

当地时间9月8日，三星电子与光刻机巨头阿斯麦（ASML）宣布扩大战略合作，双方在先进制程与EUV（极紫外光刻）领域的绑定进一步加深。这一合作的核心，是把目前最前沿的高数值孔径（High NA）EUV技术，从逻辑芯片推进到DRAM内存的量产。

高NA EUV：从逻辑芯片走向DRAM量产

根据公告，三星将加入推动12英寸（High NA）光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径EUV技术用于DRAM大规模生产。与此同时，三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。

高NA EUV是当前半导体光刻领域最先进的技术方向之一。与现有EUV相比，高NA EUV光刻机能够制造出更为精细的芯片，这对于满足AI算力爆发带来的高密度存储器需求至关重要。不过，由于高NA系统采用尺寸较小的掩模版，目前在可制造芯片面积方面受到限制——这也是推动更大尺寸（12英寸）光罩技术发展的直接动因。

从产业节奏看，阿斯麦此前已披露其高NA技术的时间表：计划到2031年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并在2033年使这项新技术具备大规模量产能力。三星与阿斯麦的合作，正是为这条更前瞻的"更大尺寸高NA"路线提前卡位。

2纳米订单满负荷：三星扩产信号频出

在AI与先进制程需求共振的背景下，三星的产能扩张信号近期相当密集。早前有报道称，得益于特斯拉、博通等美国科技企业的巨额订单，三星位于美国德克萨斯州泰勒的晶圆厂将于本月底下月初开始试生产，目前已达满负荷运转，所有计划产量均已预订完毕；该厂2纳米工艺良率已从年初约60%提升至近期约80%，拟于明年开始量产。

此外，三星还在日本横滨启用了先进半导体封装研发机构，计划在2024年起五年内投入约400亿日元强化先进封装技术，并瞄准2027年研发人员超百人。前后端的扩产布局叠加，勾勒出三星欲在AI时代重夺半导体制造优势的整体思路。

行业观察：存储大厂全面转向AI

随着AI大模型对高带宽、大容量存储的需求持续攀升，DRAM与HBM正在成为AI基础设施中比芯片本身更稀缺的环节。三星此次率先把高NA EUV引入DRAM量产，意在从制造精度上拉开与竞争对手在"更高密度内存"上的差距。英伟达（AI计算）、SK海力士与美光等存储玩家也在各自的2纳米与HBM路线加速投入。可以预见，先进光刻技术"从逻辑到存储"的扩散，将成为未来两年半导体制造端的一大主线，而三星与阿斯麦的这场深度绑定，正是这条主线上的重要注脚。

Sources:

• 三星拟于2028年前首次将高NA EUV用于DRAM量产 - 观察者网